半導(dǎo)體用什么材料做的，半導(dǎo)體用鉬濺射靶材

如今，濺射靶材有著廣泛的應(yīng)用，從半導(dǎo)體工業(yè)到集成電路加工中各種材料的薄膜沉積。 濺射是一種成熟的技術(shù)，可以將多種材料的薄膜沉積到各種形狀和尺寸的基板上。為了在濺射沉積膜中獲得所需的特性，用于制造濺射靶材的制造材料和工藝是至關(guān)重要的。下文我們來(lái)看看用于半導(dǎo)體的鉬濺射靶材。

用于半導(dǎo)體的材料，除鎢、鉬、鈮、鈦、硅等純金屬靶材外，還有鎢、鉬、鈦、硅、鉭等合金靶材，以及氧化物或氮化物等化合物。 確定材料的過(guò)程與工程師和科學(xué)家在涂層過(guò)程中完善的沉積操作參數(shù)一樣重要。

與其他沉積方法相比，濺射薄膜在基板上的附著力更好，鉬、鎢等熔點(diǎn)極高的材料也容易濺射。 此外，濺射可以從上到下進(jìn)行，而蒸發(fā)只能從下到上進(jìn)行。

濺射靶材通常為圓形或矩形，但也可以制成其他形狀，包括方形和三角形設(shè)計(jì)?；迨且煌糠蟮奈矬w，它可以包括半導(dǎo)體晶片、太陽(yáng)能電池、光學(xué)元件或許多其他可能性。 涂層的厚度通常在埃到微米的范圍內(nèi)。該膜可以是單一材料或多層結(jié)構(gòu)中的多種材料。

鉬作為一種用途非常廣泛的難熔金屬，在高溫下具有優(yōu)良的力學(xué)性能、低膨脹、高導(dǎo)熱性和極高的導(dǎo)電性。 作為濺射靶材，有多種組合，如純鉬靶材、鉬鈦靶材、鉬鉭靶材、鉬合金靶材（如TZM板）。

鉬濺射靶材具有純度高、密度高、晶粒細(xì)小均勻的特點(diǎn)，從而在濺射過(guò)程中獲得極高的濺射效率、均勻的膜厚和光滑的蝕刻表面 。

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