靶材的形狀、純度、密度、孔隙率、晶粒尺寸和質(zhì)量極大地影響膜層質(zhì)量和濺射速率。優(yōu)質(zhì)的靶材可以保證良好的薄膜質(zhì)量,延長鍍膜產(chǎn)品的生命周期。更重要的是,它可以降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率。今天,我們分享靶材純度和材料均勻性對大面積鍍膜的影響。
濺射靶材純度對大面積鍍膜的影響
濺射靶材的純度對薄膜的性能有很大的影響。當(dāng)潔凈的基材進(jìn)入高真空鍍膜室時,如果在電場和磁場的作用下靶材純度不夠。那樣的話,靶材中的雜質(zhì)粒子會在濺射過程中附著在玻璃表面,導(dǎo)致某些位置的膜層不牢固,出現(xiàn)剝離現(xiàn)象。因此,靶材的純度越高,薄膜的性能就越好。
在對純度為99.9%的銅濺射靶材的研究中,發(fā)現(xiàn)在制備Cu靶材時不可避免地會引入硫和鉛。微量S的加入可以防止熱加工時晶粒尺寸變大和微裂紋產(chǎn)生使表面粗糙。但是,當(dāng)S的含量高于18ppm時,會再次出現(xiàn)微裂紋。隨著S和Pb含量的增加,裂紋數(shù)量和電弧放電次數(shù)增加。因此,應(yīng)盡量減少靶材中的雜質(zhì)含量。減少濺射薄膜的污染源,提高薄膜的均勻性。
濺射靶材制備工藝條件的控制
對于熱導(dǎo)率較差的靶材,例如硅鋁濺射靶材,往往會因為靶材中的雜質(zhì)而阻礙熱傳遞。生產(chǎn)中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異,導(dǎo)致使用過程中靶材開裂。一般來說,輕微的裂紋不會對鍍膜生產(chǎn)產(chǎn)生很大的影響。但當(dāng)靶材有明顯裂紋時,電荷很容易集中在裂紋邊緣,導(dǎo)致靶材表面異常放電。放電會導(dǎo)致落渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。因此,在靶材制備和控制純度的過程中,還要控制制備工藝條件。
濺射靶材均勻性對大面積鍍膜的影響
對于合金濺射靶材來說,往往存在材料分布不均的情況。如硅鋁靶材中鋁團(tuán)聚,鋅鋁靶材中鋁偏析(鋁的原子質(zhì)量比鋅的原子質(zhì)量65少27。鋁在澆注后冷卻過程中會上浮,導(dǎo)致鋁含量一側(cè)高另一側(cè)低)。由于熔點低,硅鋁靶中的團(tuán)聚鋁在濺射成膜時很容易掉渣,而在噴涂過程中加入的鋁量是一定的。一部分鋁團(tuán)聚表明其他位置的鋁含量較少,影響了硅靶的熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率。所以濺射速率不一致,成膜均勻性差,靶材破裂,靶材放電加劇。它還降低了成膜質(zhì)量。靶材成分的偏析會影響濺射速率(薄膜均勻性)和薄膜成分。因此,除了控制靶材的純度外,合金靶材的分布也很關(guān)鍵。
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