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高純度鎢靶材(芯片制造)已實(shí)現(xiàn)中國制造

鎢靶材

高純度鎢靶材是氧化鎢薄膜在半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)其功能過渡的重要基體。由于鎢的熔點(diǎn)高,鎢靶材主要通過粉末冶金方法制備。其制備方法包括將純度達(dá)到99.999%以上、粒度為3.2?4.2μm的鎢粉進(jìn)行均勻混合后,置于真空熱處理爐中進(jìn)行預(yù)脫氣,然后導(dǎo)入氫氣,繼續(xù)加熱進(jìn)行脫氣的步驟;將脫氣后的鎢粉通過真空熱壓完成一次燒結(jié)的步驟;將一次燒結(jié)后的鎢板通過熱等靜壓機(jī)完成二次燒結(jié)的步驟;將二次燒結(jié)后的鎢板通過機(jī)械加工將整個表面進(jìn)行磨削處理,得到純度為99.999%及以上且密度為99%及以上的半導(dǎo)體用高純鎢靶材,優(yōu)點(diǎn)是高純度、高密度且低電阻。

用于芯片制造的鎢靶材

鎢靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域半導(dǎo)體集成電路對靶材的純度有著很高的要求,一般要求靶材的純度要在99.999%以上。同時,靶材的密實(shí)度也對鍍膜過程及膜層的性能有著重要的影響,靶材的密實(shí)度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現(xiàn)象等,還影響著濺射薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材越密實(shí),濺射膜粒子的密越低,放電現(xiàn)象越弱,而薄膜的性能也越好。


鎢靶材技術(shù)

之前應(yīng)用于芯片制造領(lǐng)域的鎢靶材,全球掌握相關(guān)制造技術(shù)的只有美國、日本等幾家公司。所幸的是,在中國制造“2025”政策扶持下,越來越多的有志有識之士回國創(chuàng)業(yè),不僅帶回了先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)驗(yàn),也創(chuàng)造了更好的研發(fā)氛圍。這不僅結(jié)束了金屬靶材必須依賴進(jìn)口的歷史,甚至沖進(jìn)了這個領(lǐng)域的全球第一梯隊(duì)。





做靶材的材料人需要了解的金屬材料的物理、化學(xué)和力學(xué)性能有哪些?
脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)是目前有前途的靶材鍍膜技術(shù)