濺射靶材是物理氣相沉積技術(shù)（PVD）制備電子薄膜材料的主要原材料，其主要由靶坯、背板等部分極成。其中，靶坯是制備過(guò)秳中高速離子流轟擊的目標(biāo)材料，其表面原子被轟擊后飛散出來(lái)沉積形成薄膜材料；而背板具有良好的導(dǎo)申、導(dǎo)熱性能，主要起在轟擊過(guò)程中固定濺射靶材的作用。
濺射材料種類(lèi)較多，按形狀可分為長(zhǎng)靶、方靶、圓靶；按化學(xué)成份可分為金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）。其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)R射靶材的材料選擇和性能要求存在一定差異，具體情況如下：
半導(dǎo)體芯片常用到的靶材超高純度鋁靶材、鈦靶材、銅靶材、鉭靶材等，其主要用途制備集成電路的關(guān)鍵原材料，性能方面技術(shù)要求高、超高純度金屬、高精度尺寸、高集成度；
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