濺射靶材是制備半導體的核心材料之一。半導體制備過程中,在晶圓制造及芯片封裝兩大環(huán)節(jié)均需用到濺射靶材。在晶圓制造環(huán)節(jié),濺射靶材主要用于制作晶圓導電層、阻擋層以及金屬柵極,通常要求靶材純度在5N(99.999%)以上,主要使用銅靶材、鋁靶材、鈦靶材、鉭靶材等;在芯片封裝環(huán)節(jié),濺射靶材主要用于貼片焊線的鍍膜,多使用銅靶材、鋁靶材、鈦靶材等靶材。
濺射靶材用于半導體的晶圓制造及芯片封裝環(huán)節(jié)
芯片設計(電路設計 - 設計版圖 - 制作光罩)
→ 晶圓制造(晶圓裸片 - 金屬濺鍍(靶材鍍膜) - 涂布光阻 - 刻蝕技術 - 光阻取出 - 電鍍工藝)
→ 芯片封裝(晶片切割 - 貼片焊線(靶材鍍膜) - 塑封工藝 - 電鍍成型)
→ 芯片測試(成品測試 - 芯片成品)
全球晶圓制造產(chǎn)能加速向中國轉移,國內(nèi)半導體材料需求有望釋放。據(jù)SEMI預測,到2020年,全球將新建62座晶圓廠,其中26座將落戶中國,占比42%。新增產(chǎn)線半導體原材料通常采用“就近”原則,有望加速國內(nèi)靶材廠商成長。此外,據(jù)中國電子行業(yè)協(xié)會預測數(shù)據(jù),隨著12英寸晶圓廠普及,預計國內(nèi)靶材市場規(guī)模增速將超過15%。
濺射靶材作為半導體重要的制作材料,直接受益于半導體行業(yè)的增長。半導體材料市場規(guī)模隨半導體行業(yè)的增長而擴大,2014年-2018年,國內(nèi)半導體材料市場規(guī)模由534.2億元增長至793.95億元,而靶材成本在半導體材料中占比相對比較固定,在2%-3%之間,2014年-2018年,國內(nèi)半導體用濺射靶材市場規(guī)模由11.3億元增長至19.48億元。
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