以銅 (Cu) 濺射靶材為例。在制備銅濺射靶時，不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質(zhì)含量。微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產(chǎn)生微裂紋；但當硫元素含量高于18 ppm時，會出現(xiàn)微裂紋；隨著兩種雜質(zhì)元素（硫和鉛）含量的增加，靶材裂紋的數(shù)量和電弧放電的數(shù)量會增加。因此，應盡可能降低靶材中的雜質(zhì)含量，以提高薄膜的均勻性。
對于導熱性較差的靶材，如SiAl靶材，由于靶材雜質(zhì)的存在，會阻礙傳熱，導致靶材在使用過程中開裂。一般情況下，輕微的裂紋不會對鍍層生產(chǎn)產(chǎn)生很大影響，但是當靶材出現(xiàn)明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材異常放電。放電現(xiàn)象會導致夾渣、成膜異常、產(chǎn)品報廢增加。因此，在靶材的制備過程中，應控制靶材的純度。
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