隨著LED市場的增長，金濺射靶材需求增加

LED 行業(yè)在過去十年中發(fā)展迅速，部分原因是 LED 背光電視和筆記本電腦的普及。LED 重要的功能部件之一是 LED 半導(dǎo)體芯片。目前，用于制造LED芯片的材料主要是鍍金靶材和蒸鍍金材料。

LED 燈在能效和壽命方面優(yōu)于白熾燈，這一直是 LED 照明市場增長的主要原因。LED 照明系統(tǒng)已用于應(yīng)急、背光、汽車、室內(nèi)和室外應(yīng)用。 金濺射靶材和 金蒸發(fā)材料 廣泛用于薄膜沉積，這是 LED 芯片制造的核心技術(shù)。過去幾年黃金價格持續(xù)上漲，預(yù)計這一趨勢將持續(xù)。（如果您想了解更多有關(guān)濺射目標(biāo)價格的信息，請向我們發(fā)送詢價）

LED芯片鍍金靶材

LED燈基本、關(guān)鍵的部件是LED芯片，也稱為半導(dǎo)體晶體。芯片非常小——標(biāo)準(zhǔn)尺寸為 10×16、10×23 或 45×45 密耳（千分之一英寸）——要清楚地看到單個芯片，需要顯微鏡。LED 芯片是所有動作發(fā)生的地方——它是二極管本身（如在發(fā)光二極管中），并且通常是 LED 產(chǎn)品制造中成本密集的組件。

高純金濺射靶材具有優(yōu)良的物理化學(xué)性能，如接觸電阻低且穩(wěn)定性好，易粘接，易成膜。通過添加其他元素，金可以合金化為金鍺、金鎵和金鈹。這些材料的流點可以改變，它們與不同材料的潤濕性和粘附性也可以提高。更重要的是，它們可以與化合物半導(dǎo)體形成歐姆接觸，因此是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。他們在薄膜沉積過程中使用不同種類的金基濺射和蒸發(fā)材料，包括 Au/GaP、Au/AuBe/GaP、AuGeNi/GaAsP、Au/GaAs、AuGeNi/Au/GaAs 和 Au/GaN。

LED芯片制造工藝

LED 芯片在生產(chǎn) LED 產(chǎn)品的總成本中占很大一部分的原因之一是由于其極其高精度的制造工藝。LED芯片的基本制造工藝如下圖所示。

外延片→清洗→電鍍透明電極層→透明電極圖案光刻→腐蝕→剝離→平臺圖案光刻→干蝕刻→剝離→退火→SiO2沉積→窗口圖案光刻→SiO2蝕刻→解聚→N極圖案光刻→預(yù)制清洗→涂層→剝離→退火→P極圖形光刻→涂層→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

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鑫康新材料是一家 是集金屬及陶瓷化合物鍍膜材料研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的濺射靶材制造商。鑫康靶材提供一站式解決方案，從制造金濺射靶到滿足卓越薄膜性能和高產(chǎn)量的精確標(biāo)準(zhǔn)，再到 靶材背板綁定，再到 回收貴金屬 ，然后將回收的金屬提煉回其原始規(guī)格，再到制造它再次轉(zhuǎn)化為可用的薄膜沉積材料。如果您對鍍金靶材感興趣，可以進(jìn)入我們的產(chǎn)品頁面了解更多信息，或直接向我們發(fā)送詢問。

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