各種類型靶材中屬半導(dǎo)體靶材技術(shù)要求高,其對純度要求通常高達(dá)5N5以上,且對尺寸精密度也存在極高要求。

半導(dǎo)體用濺射靶材
半導(dǎo)體芯片行業(yè)是金屬濺射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一,也是對靶材的成分、組織和性能要求高的領(lǐng)域。具體來講,半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié),其中,在晶圓制造和芯片封裝這兩個環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。
半導(dǎo)體芯片用金屬濺射靶材的作用,就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導(dǎo)線。具體的濺射過程:首先利用高速離子流,在高真空條件下分別去轟擊不同種類的金屬濺射靶材的表面,使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導(dǎo)體芯片的表面上,然后再通過的特殊加工工藝,將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級別的金屬線,將芯片內(nèi)部數(shù)以億計(jì)的微型晶體管相互連接起來,從而起到傳遞信號的作用。
半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬濺射靶材,主要種類包括:銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純?yōu)R射靶材,以及鎳鉑、鎢鈦等合金類的濺射靶材。鋁和銅是半導(dǎo)體生產(chǎn)主流工藝。芯片生產(chǎn)的導(dǎo)電層中同時存在鋁和銅兩種導(dǎo)線工藝,一般來說110nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上使用鋁導(dǎo)線,通常用鈦材料作為阻擋層薄膜材料;110nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下使用銅導(dǎo)線,通常使用鉭材料作為銅導(dǎo)線的阻擋層。在芯片的應(yīng)用場景中,既需要使用銅、鉭材料等先進(jìn)工藝來實(shí)現(xiàn)降低功耗、提高運(yùn)算速度等作用,又需要使用鋁、鈦材料的110nm以上節(jié)點(diǎn)工藝來保證可靠性和抗干擾性等性能。
銅靶 - 導(dǎo)電層, 高純銅材料因其電阻很低,對芯片集成度的提高非常有效,因此在110nm以下技術(shù)節(jié)中被大量用作布線材料。
鉭靶 - 阻擋層,高純鉭靶主要用在12英寸晶圓片90nm以下的高端半導(dǎo)體芯片上。
鋁靶 - 導(dǎo)電層,高純鋁靶在制作半導(dǎo)體芯片導(dǎo)電層方面應(yīng)用甚廣,但因其響應(yīng)速度方面的原因,而在110nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中很少應(yīng)用。
鈦靶 - 阻擋層,高純鈦靶主要用在8英寸晶圓片130和180nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上。
鈷靶 - 接觸層,可與芯片表面的硅層生成一層薄膜,起到接觸作用。
鎢靶 - 主要用于半導(dǎo)體芯片存儲器領(lǐng)域。
鎢鈦合金靶 - 接觸層,鎢鈦合金,由于其電子遷移率低等優(yōu)點(diǎn),可作為接觸層材料用在芯片的門電路中。
鎳鉑合金靶 - 接觸層,可與芯片表面的硅層生成一層薄膜,起到接觸作用。
半導(dǎo)體靶材工作原理