高純?yōu)R射靶材四大應用領域分析詳解

高純?yōu)R射靶材應用領域主要包括半導體、面板、光伏及光學器件。集成電路、平板顯示器、太陽能電池、信息存儲、工具改性、光學器件、高檔裝飾用品等生產(chǎn)過程中均需要進行濺射鍍膜工藝，濺射靶材應用領域非常廣闊。對于靶材用量較大的行業(yè)主要有集成電路、平板顯示器、太陽能電池、磁記錄媒體、光學器件等。其中，高純?yōu)R射靶材則主要用于對材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領域，如集成電路、平板顯示器、太陽能電池、磁記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。

半導體芯片對濺射靶材的技術要求極高，價格也極其昂貴，對于靶材純度和技術的要求高于平面顯示器、太陽能電池等其他應用領域。半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)等方面都設定了極其苛刻的標準，濺射靶材若雜質(zhì)含量過高，形成的薄膜就無法達到使用所要求的電性能，并且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導致電路短路或損壞，將嚴重影響薄膜的性能。一般而言，芯片制造對濺射靶材金屬純度的要求高，通常要求達到99.9995%（5N5）以上，平板顯示器、太陽能電池分別要求達到99.999%（5N）、99.995%（4N5）以上即可。

半導體靶材：用于晶圓導電阻擋層及封裝金屬布線層制作
在晶圓制作及芯片封裝兩大環(huán)節(jié)均需要用于到濺射靶材，其中在晶圓制造環(huán)節(jié)，靶材主要用于執(zhí)著晶圓導電層、阻擋層以及金屬柵極，而且在芯片封裝環(huán)節(jié)，靶材用來生成凸點下金屬層、布線層等金屬材料。雖然靶材正在晶圓制造和芯片封裝領域用量不大，根據(jù)SEMI的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，靶材在晶圓制造及封裝過程成本占比均約在3%左右，但是由于濺射靶材的品質(zhì)直接影響導電層、阻擋層的均勻程度及性能，進而影響芯片傳輸速度及穩(wěn)定性，因此靶材是半導體生產(chǎn)的核心原材料之一。

光伏靶材：用于形成太陽能薄膜電池的背電級
靶材主要用于生成太陽能薄膜電池的背電極，晶體硅太陽能電池較少用到濺射靶材。太陽能電池主要包括晶體硅太陽能電池和薄膜太陽能電池，晶體硅太陽能電池轉(zhuǎn)化效率較高、性能穩(wěn)定，且各個產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)比較成熟，占據(jù)了太陽能電池市場的主導地位。而晶體硅太陽能電池按照生產(chǎn)工藝不同可分為硅片涂覆型太陽能電池以及PVD 工藝高轉(zhuǎn)化率硅片太陽能電池，其中硅片涂覆型太陽能電池的生產(chǎn)不使用濺射靶材，目前靶材主要用于太陽能薄膜電池領域。