超高純金屬濺射靶材

超高純金屬濺射靶材是電子材料的重要組成部分，濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要包括金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜和終端應(yīng)用等環(huán)節(jié)，其中，靶材制造和濺射鍍膜環(huán)節(jié)是整個(gè)濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。

目前超高純金屬濺射靶材產(chǎn)品主要應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、平板顯示器產(chǎn)業(yè)以及太陽(yáng)能電池產(chǎn)業(yè)。

高純度乃至超高純度的金屬材料是生產(chǎn)超高金屬濺射靶材的基礎(chǔ)，超高純金屬濺射靶材是伴隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展而興起的，集成電路產(chǎn)業(yè)成為目前高純?yōu)R射靶材的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，要求集成電路的集成度越來(lái)越高，電路中單元器件尺寸不斷縮小。每個(gè)單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成，其中，介質(zhì)層、導(dǎo)體層甚至保護(hù)層都要用到濺射鍍膜工藝，因此濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。集成電路領(lǐng)域的鍍膜用靶材主要包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等，要求靶材純度很高，一般在5N（99.999%）以上。

以半導(dǎo)體芯片用濺射靶材為例，若濺射靶材雜質(zhì)含量過(guò)高，則形成的薄膜無(wú)法達(dá)到使用所要求的電性能，并且在濺射過(guò)程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。通常情況下，超高純金屬提純分為化學(xué)提純和物理提純，為了獲得更高純度的金屬材料，大限度地去除雜質(zhì)，需要將化學(xué)提純和物理提純結(jié)合使用。在將金屬提純到相當(dāng)高的純度后，往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，在這個(gè)過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)熔煉、合金化和鑄造等步驟：通過(guò)精煉高純金屬，去除氧氣、氮?dú)獾榷嘤鄽怏w；再加入少量合金元素，使其與高純金屬充分結(jié)合并均勻分布；后將其鑄造成沒(méi)有缺陷的錠材，滿足生產(chǎn)加工過(guò)程中對(duì)金屬成份、尺寸大小的要求。